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S2M-LTP 与
BC857C-7-F、BC857CLT3G、BC857CLT1G 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | - | 1（无限） |
| 工作温度-结 | -55°C~150°C | - | - | - |
| 平均整流电流 | 2A | - | - | - |
| 封装/外壳 | SMB(DO-214AA) | SOT23-3 | SOT23-3 | SOT-23 |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 反向耐压VR | 1KV | - | - | - |
| 反向漏电流IR | 5μA@1KV | - | - | - |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | - | - | Tape/reel |
| 二极管类型 | 标准 | - | - | - |
| 速度 | 快速恢复=<500ns，>200mA（Io） | - | - | - |
| 正向压降VF | 1.15V | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | - | - | Yes |
| 高度 | 2.20mm | - | - | 1.00mm |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | - | - | 8 周 |
| 引脚数 | 2Pin | - | - | 3Pin |
| 长x宽/尺寸 | 4.41 x 3.62mm | 2.90 x 1.65mm | 2.90 x 1.65mm | 2.90 x 1.30mm |
| 零件状态 | Active | - | - | Active |
| DC电流增益(hFE) | - | - | - | 420~800 |
| 跃迁频率 | - | - | - | 100MHz |
| 配置 | - | - | - | 单路 |
| Vce饱和压降 | - | - | - | 650mV |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | - | - | - | 45V |
| 晶体管类型 | - | - | - | PNP |
| 工作温度 | - | - | - | -55℃~+150℃ |
| 存储温度 | - | - | - | -55℃~+150℃ |
| 功率耗散 | - | - | - | 300mW |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | - | - | - | 5V |
| 集电极截止电流 (Icbo) | - | - | - | 15nA（ICBO） |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | - | - | - | 45V |
| 系列 | - | - | - | - |
| 集电极-基极电压（VCBO） | - | - | - | 50V |
| 集电极电流 Ic | - | - | - | 100mA |
| 极性 | - | - | - | PNP |
| 品牌 | - | - | - | ON |
| 特征频率(fT) | - | - | - | 100MHz |
| 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO | - | - | - | 45V |
| 额定功率 | - | - | - | 300mW |
| 原产国家 | - | - | - | America |
| 印字代码 | - | - | - | 3G |
| 原始制造商 | - | - | - | ON Semiconductor |
| 最小包装 | - | - | - | 3000pcs |
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