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    BC817-25LT1GBC817-25LT3G 的区别

    BC817-25LT1G

    制造商:ON

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    BC817-25LT3G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    Vce饱和压降700mV700mV
    集射极击穿电压Vce(Max)45V45V
    晶体管类型NPNNPN
    工作温度-65℃~+150℃-65℃~+150℃
    封装/外壳SOT-23SOT-23
    包装Tape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    跃迁频率100MHz100MHz
    DC电流增益(hFE)160@100mA,1V160
    安装类型SMTSMT
    配置单路-
    发射极与基极之间电压 VEBO5V-
    功率耗散300mW225mW
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO45V-
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.89 x 1.29mm
    高度1.00mm1.01mm
    引脚数3Pin3Pin
    集电极截止电流 (Icbo)100nA100nA
    最小包装3000pcs-
    零件状态ActiveActive
    元件生命周期Active-
    原始制造商ON Semiconductor Inc.-
    品牌ONON
    系列-Original
    原产国家America-
    制造商标准提前期12 周4 周
    认证信息RoHS-
    是否无铅YesYes
    特征频率(fT)100MHz100MHz
    发射极基极导通电压VBE(on)1.2V-
    额定功率300mW225mW
    集电极电流 Ic500mA500mA
    极性NPN-
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))45V45V
    集电极-基极电压(VCBO)50V-
    脚间距-1.9mm
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