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    MX1A-C1NWBC846BQ-7-F、BC846B-7-F、BC846BLT3G 的区别

    MX1A-C1NW

    制造商:CHERRY

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    BC846BQ-7-F

    制造商:DIODES

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    BC846B-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.10732

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    BC846BLT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.31644

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    ECCN编码
    DC电流增益(hFE)-200@2mA,5V200450
    封装/外壳-SOT-23SOT-23SOT-23
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    集射极击穿电压Vce(Max)-65V65V65V
    工作温度--65℃~+150℃(TJ)-65℃~+150℃-55℃~+150℃
    集电极电流 Ic-100mA100mA100mA
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-200mV@100mA,5mA65V65V
    品牌-DIODESDIODESON
    特征频率(fT)-300MHz300MHz100MHz
    额定功率-310mW310mW300mW
    Vce饱和压降--600mV600mV
    配置--单路单路
    跃迁频率--300MHz100MHz
    包装--Tape/reelTape/reel
    安装类型--SMTSMT
    元件生命周期--ActiveActive
    引脚数--3Pin3Pin
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    高度--1.03mm1.00mm
    长x宽/尺寸--2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    功率耗散--310mW300mW
    发射极与基极之间电压 VEBO--6V6V
    集电极截止电流 (Icbo)--15nA15nA(ICBO)
    集电极-基极电压(VCBO)--80V80V
    零件状态--ActiveActive
    极性--NPNNPN
    系列--Original-
    最小包装--3000pcs10000pcs
    是否无铅--YesYes
    原始制造商--Diodes IncorporatedON Semiconductor
    印字代码---1B
    原产国家---America
    制造商标准提前期---12 周
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO---65V
    存储温度----55℃~+150℃
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