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NTR4502PT1G 与
DMP1045U-7、DMP3130L-7 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 配置 | 单路 | - | - | |
| 阈值电压 | 3V@250µA | 1V | 1.3V | |
| 连续漏极电流 | 1.13A | 4A | 3A | |
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 12V | 30V | |
| 漏极电流 | 1.13A | 4A | 3.5A | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | |
| 额定功率 | 400mW | 800mW | 700mW | |
| 输入电容 | 200pF@15V | 1.357nF | 864pF | |
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | - | 2.5V，10V | |
| 击穿电压 | 30V | - | - | |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±8V | ±12V | |
| 反向传输电容Crss | 50pF | 235pF | 62pF | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 充电电量 | 6nC | 15.8nC | 24nC | |
| 功率耗散 | 400mW | 800mW | 700mW | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | - | |
| 系列 | - | - | - | |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | |
| 制造商标准提前期 | 20 周 | 8 周 | 8 周 | |
| 高度 | 1.00mm | 1.00mm | 1.03mm | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 印字代码 | TR2 M= = | - | - | |
| 原始制造商 | ON Semiconductor Inc. | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | |
| 认证信息 | RoHS | - | - | |
| 原产国家 | America | America | America | |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200毫欧@1.95A，10V | 31毫欧@4A，4.5V | - | |
| 品牌 | ON | DIODES | DIODES | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@10V,1.95A | 31mΩ@4.5V,4A | 77mΩ@10V,4.2A | |
| 栅极电荷(Qg) | - | 15.8nC | 24nC | |
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