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    DEJF3E2103ZN3ABC857CLT3G、BC857CLT1G、BC857C_R1_00001 的区别

    DEJF3E2103ZN3A

    制造商:Murata

    最优价格:¥0.32530

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    BC857CLT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10271

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    BC857CLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09200

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    BC857C_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.07800

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    ECCN编码
    应用领域General Purpose---
    工作温度-25℃~+85℃--55℃~+150℃-50℃~+150℃
    安装类型插件SMTSMTSMT
    包装Tape/Reel-Tape/reel-
    脚间距7.30mm---
    精度-20%~+80%---
    额定电压250V---
    长x宽/尺寸Ф11.00mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    封装/外壳插件SOT23-3SOT-23SOT-23
    容值10nF---
    电介质E---
    品牌MuRata-ONPANJIT
    温度系数TfE---
    系列DEJ--BC857
    原始制造商Murata Manufacturing Co., Ltd.-ON Semiconductor-
    零件状态废弃-ActiveActive
    高度14.00mm-1.00mm1.10mm
    引线形式Formed Leads---
    晶体管类型--PNPPNP
    DC电流增益(hFE)--420~800420~800
    跃迁频率--100MHz-
    Vce饱和压降--650mV-
    配置--单路-
    集射极击穿电压Vce(Max)--45V45V
    特征频率(fT)--100MHz200MHz
    额定功率--300mW330mW
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)-
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO--45V-
    引脚数--3Pin3Pin
    原产国家--AmericaChina Taiwan
    印字代码--3G-
    是否无铅--YesYes
    最小包装--3000pcs-
    制造商标准提前期--8 周-
    存储温度---55℃~+150℃-50℃~+150℃
    功率耗散--300mW330mW
    集电极截止电流 (Icbo)--15nA(ICBO)-
    发射极与基极之间电压 VEBO--5V-
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))--45V45V
    集电极-基极电压(VCBO)--50V-
    集电极电流 Ic--100mA100mA
    极性--PNP-
    元件生命周期---Active
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