购物车
上传BOM
SIR462DP-T1-GE3 与
LNK304DG-TL 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Power Integrations 最优价格：￥4.25500 查看详情 查看数据资料 | |||
| ECCN编码 | ||||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -40℃~+150℃ | ||
| Vgs(Max) | ±20V | - | ||
| 连续漏极电流 | 30A | - | ||
| 包装 | Tape/reel | - | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 配置 | 单路 | - | ||
| 阈值电压 | 3V@250µA | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 30V | - | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | - | ||
| FET功能 | - | - | ||
| 封装/外壳 | SO-8 | SOIC8C_150MIL | ||
| 功率耗散 | 41.7W | - | ||
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | ||
| 原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | Power Integrations Inc. | ||
| 原产国家 | America | America | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | ||
| 元件生命周期 | Active | Active | ||
| 长x宽/尺寸 | 5.89 X 5.15mm | 4.90 x 3.90mm | ||
| 系列 | TrenchFET® | LinkSwitch®-TN | ||
| 高度 | 1.04mm | 1.75mm | ||
| 零件状态 | Active | - | ||
| 类型 | 1个N沟道 | - | ||
| 制造商标准提前期 | 15 周 | - | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | - | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.9mΩ@10V,20A | - | ||
| 是否无铅 | Yes | Yes | ||
| 品牌 | Vishay | Power | ||
| 额定功率 | 4.8W,41.7W | - | ||
| 最小包装 | 3000pcs | 2500pcs | ||
| 极性 | N-沟道 | - | ||
| 击穿电压 | 30V | - | ||
| 输入电容 | 1.155nF | - | ||
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | ||
| 反向传输电容Crss | 95pF | - | ||
| 充电电量 | 20nC | - | ||
| 输出电流 | - | 120mA | ||
| 输出电压 | - | 12V | ||
| 工作电压 | - | 85V~265V | ||
| 开关频率 | - | 66KHz | ||
| 输出功率 | - | - | ||
| 故障保护 | - | 限流,开环,超温,短路 | ||
| 引脚数 | - | 7Pin | ||
| 拓扑结构 | - | 降压,降压-升压,反激式 | ||
| 隔离类型（两侧） | - | 非隔离 | ||
| 内置开关管 | - | 是 | ||
| 工作电流 | - | 68μA | ||
| 控制特性 | - | - | ||
| 认证信息 | - | RoHS | ||
| 占空比 | - | 69% | ||
| 应用等级 | - | Industrial | ||
| 加入购物车 | 询价 | 加入购物车 |
同类型型号推荐
加入购物车成功！
工商网监