尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    XC9306B05G0R-GSTS5N15F4、SI4488DY-T1-E3 的区别

    XC9306B05G0R-G

    制造商:Torex

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    STS5N15F4

    制造商:ST

    最优价格:¥6.47828

    查看详情 查看数据资料

    SI4488DY-T1-E3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥2.48600

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    功能升压/降压--
    输出配置Positive--
    拓扑结构降压-升压--
    输出类型可调--
    输入电压(最小值)2.5V--
    输入电压(最大值)5.5V--
    输出电流800mA--
    开关频率6MHz--
    同步整流--
    安装类型SMTSMTSMT
    封装/外壳WLCSP-20SOT96-1SOT96-1
    输出电压5V--
    系列-DeepGATE™,STripFET™TrenchFET®
    品牌Torex--
    原始制造商Torex Semiconductor Ltd.--
    输出通道数1--
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    是否无铅YesYesYes
    输入电压5.5V--
    阈值电压-4V@250µA2V@250µA(最小)
    晶体管类型-N沟道N沟道
    FET功能---
    漏源电压(Vdss)-150V150V
    连续漏极电流-5A3.5A
    包装-剪切带(CT) ,带卷(TR) 剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    功率耗散-2.5W1.56W
    零件状态-ActiveActive
    输入电容-2.71nF@25V-
    类型-1个N沟道1个N沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-63mΩ@2.5A,10V50mΩ@10V,5A
    额定功率-2.5W1.56W
    制造商标准提前期-7 周15 周
    极性-N-沟道N-沟道
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)
    栅极电荷(Qg)--36nC
    Vgs(Max)--±20V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)--10V
    加入购物车询价加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照