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IXTP1N120P04026D105KAT2A、CL05A105KQ5NNNC、GRM155R60J105KE19D 的区别

IXTP1N120P

制造商:IXYS

最优价格:¥19.07153

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04026D105KAT2A

制造商:AVX

最优价格:¥0.10471

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CL05A105KQ5NNNC

制造商:Samsung

最优价格:¥0.00510

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GRM155R60J105KE19D

制造商:Murata

最优价格:¥0.00597

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ECCN编码
漏源电压(Vdss)1.2KV---
封装/外壳TO220040204020402
安装类型插件SMTSMTSMT
工作温度-55℃~+150℃-55℃~+85℃-55℃~+85℃-55℃~+85℃
漏极电流1A---
FET功能----
配置单路---
阈值电压4.5V@50µA---
连续漏极电流1A---
晶体管类型N沟道---
包装Tube packingTape/ReelTape/ReelTape/Reel
系列PolarVHV™-CLGRM
长x宽/尺寸10.66 x 4.83mm1.00 x 0.50mm1.00 x 0.50mm1.00 x 0.50mm
制造商标准提前期8 周---
高度4.83mm0.60mm0.55mm0.50mm
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
引脚数3Pin2Pin2Pin2Pin
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)10V---
是否无铅Yes--Yes
最小包装300pcs10000pcs4000pcs-
原始制造商IXYSAVX CorporationSamsung Electro-Mechanics-
认证信息RoHS---
原产国家America--Japan
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)20欧姆@500mA,10V---
品牌IXYSAVXSamsungMuRata
极性N-沟道---
输入电容550pF@25V---
击穿电压1200V---
栅极源极击穿电压±20V---
技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
反向传输电容Crss5.4pF---
充电电量17.6nC---
零件状态ActiveActiveActive废弃
功率耗散63W---
存储温度-55℃~+150℃---
应用领域-General PurposeGeneral PurposeConsumer
容值-1µF1µF1µF
精度-±10%±10%±10%
额定电压-6.3V6.3V6.3V
等级-通用级通用级-
电介质-X5RX5RX5R
特性---Original
脚间距--0.75mm0.75mm
元件生命周期---Active
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