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DMP3030SN-7 与
DMP2035U-7、IRLML5203TRPBF 的区别
制造商：DIODES 最优价格：￥2.84050 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.35492 查看详情 | 制造商：Infineon 最优价格：￥0.37799 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | |
| Vgs(Max) | ±20V | ±8V | ±20V | |
| 栅极电荷(Qg) | - | 15.4nC | - | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | |
| 连续漏极电流 | 700mA | 3.6A | 3A | |
| 阈值电压 | 3V@1mA | 1V | 2.5V@250µA | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 配置 | 单路 | - | 单路 | |
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 20V | 30V | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 封装/外壳 | SC59 | SOT-23 | SOT-23 | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@10V,400mA | 35mΩ@4.5V,4A | 98mΩ@10V,3A | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | |
| 长x宽/尺寸 | 3.10 x 1.70mm | 2.90 x 1.30mm | 3.04 x 1.40mm | |
| 系列 | - | - | HEXFET® | |
| 功率耗散 | 500mW | 810mW | 1.25W | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | 1.8V，4.5V | 4.5V，10V | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 额定功率 | 500mW | 810mW | 1.25W | |
| 高度 | 1.40mm | 1.03mm | 1.12mm | |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±8V | ±20V | |
| 品牌 | DIODES | DIODES | Infineon | |
| 原始制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Infineon Technologies AG | |
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | |
| 输入电容 | 160pF@10V | 1.61nF | 510pF@25V | |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | 8 周 | - | |
| 漏极电流 | - | 3.6A | 3A | |
| 充电电量 | - | 15.4nC | 9.5nC | |
| 引脚数 | - | 3Pin | 3Pin | |
| 脚间距 | - | 1.92mm | - | |
| 反向传输电容Crss | - | 145pF | 43pF | |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | |
| 原产国家 | - | America | Germany | |
| 印字代码 | - | - | XYWLC | |
| 认证信息 | - | - | RoHS | |
| 击穿电压 | - | - | 30V | |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | |
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