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    KKL-4-RTZXMN3A03E6TA、NTGS4141NT1G、AO6404 的区别

    KKL-4-RT

    制造商:Essentra

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    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

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    NTGS4141NT1G

    制造商:ON

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    AO6404

    制造商:AOS

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    ECCN编码
    类型夹子,C型1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    材料聚氯乙烯(PVC)---
    颜色灰色---
    长度19.05mm---
    宽度0.750"(19.05mm)---
    特性阻燃---
    系列KWIKKLIP---
    螺丝尺寸----
    零件状态在售ActiveActiveActive
    捆扎中心到安装中心----
    类型属性锁定,圆形---
    开口尺寸0.250"(6.35mm)---
    安装类型胶合剂SMTSMTSMT
    高度0.562"(14.27mm)1.15mm1.00mm-
    面板孔尺寸----
    材料厚度----
    材料可燃性等级UL94V-0---
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求NoYesYes
    粘合剂丙烯酸酯基(RMS-15)---
    制造商标准提前期4 周10 周30 周16 周
    包装-Tape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    阈值电压-1V3V@250µA1V@250µA
    漏源电压(Vdss)-30V30V20V
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    封装/外壳-SOT26TSOP-6SC74,SOT457
    工作温度--55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    Vgs(Max)-±20V±20V±12V
    连续漏极电流-4.6A7A8.6A
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-50mΩ@10V,7.8A25mΩ@7A,10V17mΩ@10V,8.5A
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5V,10V1.8V,10V
    元件生命周期-Active--
    功率耗散-1.1W500mW2W
    原产国家-AmericaAmerica-
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    输入电容-600pF560pF@24V1.81nF@10V
    栅极源极击穿电压-±20V±20V-
    品牌-DIODESON-
    反向传输电容Crss--15pF-
    引脚数-6Pin6Pin-
    最小包装-3000pcs3000pcs-
    击穿电压-30V30V-
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    长x宽/尺寸-3.00 x 1.60mm3.00 x 1.50mm-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    原始制造商-Diodes IncorporatedON Semiconductor-
    充电电量-12.6nC6nC-
    额定功率-1.1W500mW2W
    漏极电流--3.5A-
    配置--单路-
    认证信息--RoHS-
    印字代码--S4 M= =-
    栅极电荷(Qg)---17.9nC
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