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    KKL-4-RTAO6408、VB7322、ZXMN3A03E6TA 的区别

    KKL-4-RT

    制造商:Essentra

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    AO6408

    制造商:AOS

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    VB7322

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.77970

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    ZXMN3A03E6TA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥8.84450

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    ECCN编码
    颜色灰色---
    长度19.05mm---
    宽度0.750"(19.05mm)---
    特性阻燃---
    类型夹子,C型--1个N沟道
    材料聚氯乙烯(PVC)---
    高度0.562"(14.27mm)-1.10mm1.15mm
    面板孔尺寸----
    材料厚度----
    材料可燃性等级UL94V-0---
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesNo
    粘合剂丙烯酸酯基(RMS-15)---
    制造商标准提前期4 周--10 周
    螺丝尺寸----
    系列KWIKKLIP---
    捆扎中心到安装中心----
    零件状态在售过期ActiveActive
    类型属性锁定,圆形---
    开口尺寸0.250"(6.35mm)---
    安装类型胶合剂SMTSMTSMT
    封装/外壳-SC74,SOT457TSOP-6SOT26
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    漏源电压(Vdss)-20V30V30V
    连续漏极电流-8.8A5.5A4.6A
    阈值电压-1V@250µA1.5V@250µA1V
    包装-剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    功率耗散-2W1.3W1.1W
    输入电容-2.2nF@10V424pF600pF
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-18毫欧@8.8A,10V27mΩ50mΩ@10V,7.8A
    漏极电流--6A-
    栅极电荷(Qg)--13nC-
    配置--单路-
    Vgs(Max)--±20V±20V
    击穿电压--30V30V
    栅极源极击穿电压--±20V±20V
    极性--N-沟道N-沟道
    原产国家--China TaiwanAmerica
    品牌--VBsemiDIODES
    原始制造商--VBsemi Electronics Co. LtdDiodes Incorporated
    元件生命周期--ActiveActive
    最小包装--3000pcs3000pcs
    引脚数--6Pin6Pin
    长x宽/尺寸--3.05 x 1.65mm3.00 x 1.60mm
    存储温度---55℃~+150℃-55℃~+150℃
    充电电量--4.2nC12.6nC
    反向传输电容Crss--42pF-
    额定功率---1.1W
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)---4.5V,10V
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