LM258DR 与
LM258DR2G 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 输入失调电压(Vos) | 3mV | 5mV | ||
| 输入偏置电流 | 20nA | 45nA | ||
| 工作电流 | 1mA | 1.5mA | ||
| 每个通道的输出电流 | 30mA | 40mA | ||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SOIC-8 | ||
| 电源电压,单/双(±) | 3V~32V,±1.5V~16V | 3V~32V,±1.5V~±16V | ||
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | -25℃~+85℃ | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 输出电流 | 40mA | 40mA | ||
| 压摆率 | 300mV/μs | - | ||
| 包装 | Tape/Reel | Tape/Reel | ||
| 增益带宽积(GBP) | 700KHz | 1MHz | ||
| 电源电压 | 3V~30V | 32V | ||
| 品牌 | TI | ON | ||
| 共模抑制比 - CMRR | 80dB | 85dB | ||
| 元件生命周期 | Active | Active | ||
| 最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | ||
| 引脚数 | 8Pin | 8Pin | ||
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 7uV/℃ | - | ||
| 存储温度 | -65~+150℃ | - | ||
| 长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | ||
| 高度 | 1.75mm | 1.75mm | ||
| 放大器类型 | 通用 | 通用 | ||
| 脚间距 | 1.27mm | - | ||
| 原始制造商 | Texas Instruments Incorporated | ON Semiconductor Inc. | ||
| 通道数 | 2 | 2 | ||
| 原产国家 | America | America | ||
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