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    HS12F3AS2N7002E-7-F、2V7002LT1G、2N7002-TP 的区别

    HS12F3AS

    制造商:SolaHD

    最优价格:¥4540.99531

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    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.13104

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    2V7002LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.30849

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    2N7002-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.05559

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    ECCN编码
    初级绕组双,多抽头---
    安装类型底座安装SMTSMTSMT
    次级绕组(路数)---
    电压 - 次级120V,240V---
    包装散装剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    功率3KVA---
    中心抽头---
    端接类型焊接,快速连接---
    系列--Automotive,AEC-Q101-
    原始制造商SolaHD-ON SemiconductorMicro Commercial Components
    输出电流(最大值)25A---
    基本产品编号HS12F3---
    类型叠片磁芯1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    隔离电压----
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    阈值电压-2.5V@250µA2.5V@250µA2.5V
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    封装/外壳-SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    Vgs(Max)-±20V±20V-
    连续漏极电流-250mA115mA115mA
    品牌-DIODESONMCC
    功率耗散-370mW225mW200mW
    长x宽/尺寸-3.00 x 1.40mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    额定功率-370mW225mW200mW
    输入电容-50pF@25V50pF@25V50pF@25V
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-3Ω@10V,250mA7.5Ω@10V,500mA1.2Ω@10V,500mA
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    高度-1.10mm1.11mm1.12mm
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    制造商标准提前期-12 周26 周8 周
    零件状态-ActiveActiveActive
    是否无铅-YesYesYes
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V5V,10V5V,10V
    漏极电流--115mA-
    栅极电荷(Qg)----
    配置--单路单路
    印字代码--702 M= =-
    认证信息--RoHS-
    原产国家--AmericaAmerica
    栅极源极击穿电压--±20V-
    击穿电压--60V-
    反向传输电容Crss--5pF5pF@25V
    存储温度---55℃~+150℃-
    最小包装--3000pcs3000pcs
    元件生命周期---Active
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