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    HS12F3AS2N7002-TP、2N7002ET1G、2N7002Q-7-F 的区别

    HS12F3AS

    制造商:SolaHD

    最优价格:¥4540.99531

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    2N7002-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.05559

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    2N7002ET1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10095

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    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17594

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    ECCN编码
    初级绕组双,多抽头---
    安装类型底座安装SMTSMTSMT
    次级绕组(路数)---
    电压 - 次级120V,240V---
    包装散装Tape/reelTape/reelTape/reel
    功率3KVA---
    隔离电压----
    中心抽头---
    端接类型焊接,快速连接---
    系列---Automotive,AEC-Q101
    原始制造商SolaHDMicro Commercial ComponentsON SemiconductorDiodes Incorporated
    输出电流(最大值)25A---
    基本产品编号HS12F3---
    类型叠片磁芯1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    连续漏极电流-115mA260mA170mA
    栅极电荷(Qg)--0.81nC0.233nC
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    阈值电压-2.5V2.5V@250µA2.5V
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    配置-单路单路-
    FET功能----
    封装/外壳-SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-1.2Ω@10V,500mA2.5Ω@10V,240mA5Ω@500mA,10V
    反向传输电容Crss-5pF@25V2.9pF-
    零件状态-ActiveActiveActive
    额定功率-200mW300mW370mW
    功率耗散-200mW300mW370mW
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-5V,10V4.5V,10V5,10V
    品牌-MCCONDIODES
    栅极源极击穿电压--±20V±20V
    输入电容-50pF@25V26.7pF50pF
    制造商标准提前期-8 周26 周-
    长x宽/尺寸-3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    是否无铅-YesYes-
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    元件生命周期-ActiveActiveActive
    高度-1.12mm1.11mm1.15mm
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    Vgs(Max)--±20V±20V
    存储温度---55℃~+150℃-
    认证信息--RoHS-
    击穿电压--60V60V
    充电电量--0.81nC-
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