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    HS12F3AS2N7002ET1G、2N7002Q-7-F、2N7002E-7-F 的区别

    HS12F3AS

    制造商:SolaHD

    最优价格:¥4540.99531

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    2N7002ET1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10095

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    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17594

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    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.13104

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    ECCN编码
    初级绕组双,多抽头---
    安装类型底座安装SMTSMTSMT
    次级绕组(路数)---
    电压 - 次级120V,240V---
    包装散装Tape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    功率3KVA---
    隔离电压----
    中心抽头---
    端接类型焊接,快速连接---
    系列--Automotive,AEC-Q101-
    原始制造商SolaHDON SemiconductorDiodes Incorporated-
    输出电流(最大值)25A---
    基本产品编号HS12F3---
    类型叠片磁芯1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    连续漏极电流-260mA170mA250mA
    栅极电荷(Qg)-0.81nC0.233nC-
    阈值电压-2.5V@250µA2.5V2.5V@250µA
    配置-单路--
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    封装/外壳-SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    高度-1.11mm1.15mm1.10mm
    额定功率-300mW370mW370mW
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-2.5Ω@10V,240mA5Ω@500mA,10V3Ω@10V,250mA
    最小包装-3000pcs3000pcs-
    认证信息-RoHS--
    零件状态-ActiveActiveActive
    原产国家-AmericaAmerica-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V5,10V4.5V,10V
    元件生命周期-ActiveActive-
    品牌-ONDIODESDIODES
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    制造商标准提前期-26 周-12 周
    是否无铅-Yes-Yes
    击穿电压-60V60V-
    栅极源极击穿电压-±20V±20V-
    输入电容-26.7pF50pF50pF@25V
    反向传输电容Crss-2.9pF--
    充电电量-0.81nC--
    功率耗散-300mW370mW370mW
    存储温度--55℃~+150℃--
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm
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