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TNY175DG-TL 与
BAW56Q-7-F、BAW56Q-13-F、BAW56 的区别
制造商：Power Integrations 最优价格：￥4.85806 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.15266 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.19030 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIOTEC 最优价格：￥0.18600 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 开关频率 | 132KHz | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOIC8_150MIL_7Pin | TO-236-3 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作电压 | - | - | - | - |
| 故障保护 | 限流,过载,超温,过压,短路 | - | - | - |
| 拓扑结构 | 反激,次级侧SR | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | - | - |
| 隔离类型（两侧） | 隔离 | - | - | - |
| 输出功率 | 15W | - | - | - |
| 占空比 | 65% | - | - | - |
| 击穿电压 | 650V | - | - | - |
| 控制特性 | EN | - | - | - |
| 内部开关 | 是 | - | - | - |
| 系列 | - | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | - | -55℃~+150℃(TJ) |
| 包装 | - | Tape/Reel | - | - |
| 反向耐压VR | - | 75V | - | 75V |
| 反向峰值电压（最大值） | - | 75V | - | - |
| 反向漏电流IR | - | 2.5µA | - | 1μA@75V |
| 平均整流电流 | - | 300mA | - | 215mA |
| 反向恢复时间(trr) | - | 4ns | - | 4ns |
| 功率耗散（最大值） | - | 350mW | - | - |
| 二极管配置 | - | 1对共阳极 | - | 2对共阳极 |
| 正向压降VF | - | 1.25V@150mA | - | 1.25V@150mA |
| 品牌 | - | DIODES | - | - |
| 引脚数 | - | 3Pin | - | - |
| 正向压降VF Min | - | 715mV | - | - |
| 正向压降VF Max | - | 1.25V | - | - |
| 最小包装 | - | 3000pcs | - | - |
| 是否无铅 | - | Yes | - | - |
| 反向击穿电压 | - | 75V | - | - |
| 元件生命周期 | - | Active | - | - |
| 零件状态 | - | Active | - | - |
| 原始制造商 | - | Diodes Incorporated | - | - |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - | 2A | - | - |
| 原产国家 | - | America | - | - |
| 认证信息 | - | RoHS | - | - |
| 总电容C | - | 2pF | - | - |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | - |
| 长x宽/尺寸 | - | 2.90 x 1.30mm | - | - |
| 高度 | - | 1.10mm | - | - |
| 功率 | - | - | - | 350mW |
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