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TNY175DG-TLBAT54SWT1G、BAT54SWT-TP 的区别

TNY175DG-TL

制造商:Power Integrations

最优价格:¥4.80059

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BAT54SWT1G

制造商:ON

最优价格:¥0.16006

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BAT54SWT-TP

制造商:MCC

最优价格:¥0.10081

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ECCN编码
输出功率15W--
开关频率132KHz--
封装/外壳SOIC8_150MIL_7PinSOT-323-3SOT-323-3
故障保护限流,过载,超温,过压,短路--
拓扑结构反激,次级侧SR--
安装类型SMTSMTSMT
隔离类型(两侧)隔离--
工作温度-40℃~+150℃(TJ)-55℃~+125℃-55℃~+125℃(TJ)
占空比65%--
击穿电压650V--
控制特性EN--
内部开关--
供电电压---
系列---
反向恢复时间(trr)-5ns5ns
平均整流电流-200mA200mA
反向耐压VR-30V30V
包装-Tape/ReelTape/Reel
二极管配置-1对串联式双 串联
反向漏电流IR-2µA2µA
正向压降VF-800mV1V@100mA
功率耗散(最大值)-200mW200mW
存储温度--55℃~+150℃-55~+125℃
长x宽/尺寸-2.00 x 1.24mm2.20 x 1.35mm
高度-0.85mm1.00mm
引脚数-3Pin3Pin
最小包装-3000pcs3000pcs
正向压降VF Max-240mV1V
零件状态-ActiveActive
原始制造商-ON SemiconductorMicro Commercial Components
原产国家-AmericaAmerica
脚间距-1.3mm-
应用-通用-
品牌-OnsemiMCC
Ifsm - 正向浪涌峰值电流-600mA600mA
总电容C-7.6pF-
是否无铅--Yes
正向压降VF Min--240mV
元件生命周期--Active
反向击穿电压--30V
结电容--10pF
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