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    TNY175DG-TLBAW56-7-F、BAW56Q-7-F、BAW56Q-13-F 的区别

    TNY175DG-TL

    制造商:Power Integrations

    最优价格:¥4.85806

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    BAW56-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.10025

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    BAW56Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.15266

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    BAW56Q-13-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.19030

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMT-
    隔离类型(两侧)隔离---
    输出功率15W---
    开关频率132KHz---
    封装/外壳SOIC8_150MIL_7PinSOT-23TO-236-3SOT-23
    工作电压----
    故障保护限流,过载,超温,过压,短路---
    拓扑结构反激,次级侧SR---
    系列----
    工作温度-40℃~+150℃(TJ)-65℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-
    占空比65%---
    击穿电压650V---
    控制特性EN---
    内部开关---
    反向漏电流IR-2.5µA2.5µA-
    二极管类型-标准--
    二极管配置-1对共阳极1对共阳极-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)--
    反向耐压VR-75V75V-
    功率耗散(最大值)-350mW350mW-
    反向峰值电压(最大值)-75V75V-
    反向恢复时间(trr)-4ns4ns-
    工作温度-结--65°C~150°C--
    平均整流电流-300mA300mA-
    正向压降VF-1.25V1.25V@150mA-
    包装-Tape/ReelTape/Reel-
    速度-快速恢复=<500ns,>200mA(Io)--
    最小包装-3000pcs3000pcs-
    是否无铅-YesYes-
    零件状态-ActiveActive-
    原始制造商-Diodes IncorporatedDiodes Incorporated-
    原产国家-AmericaAmerica-
    认证信息-AEC-Q101, RoHSRoHS-
    脚间距-1.92mm--
    品牌-DIODESDIODES-
    总电容C-2pF2pF-
    正向压降VF Max-1V1.25V-
    应用-汽车--
    反向击穿电压-75V75V-
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-2A2A-
    存储温度--65~+150℃-55℃~+150℃-
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm-
    高度-1.05mm1.10mm-
    引脚数-3Pin3Pin-
    正向压降VF Min--715mV-
    元件生命周期--Active-
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