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TNY175DG-TL 与
BAT54SWT-TP、BAT54SWT1G 的区别
制造商：Power Integrations 最优价格：￥4.80059 查看详情 | 制造商：MCC 最优价格：￥0.10081 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥0.16006 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 故障保护 | 限流,过载,超温,过压,短路 | - | - | |
| 拓扑结构 | 反激,次级侧SR | - | - | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 隔离类型（两侧） | 隔离 | - | - | |
| 输出功率 | 15W | - | - | |
| 开关频率 | 132KHz | - | - | |
| 封装/外壳 | SOIC8_150MIL_7Pin | SOT-323-3 | SOT-323-3 | |
| 控制特性 | EN | - | - | |
| 内部开关 | 是 | - | - | |
| 供电电压 | - | - | - | |
| 系列 | - | - | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃(TJ) | -55℃~+125℃(TJ) | -55℃~+125℃ | |
| 占空比 | 65% | - | - | |
| 击穿电压 | 650V | - | - | |
| 平均整流电流 | - | 200mA | 200mA | |
| 正向压降VF | - | 1V@100mA | 800mV | |
| 反向漏电流IR | - | 2µA | 2µA | |
| 反向恢复时间(trr) | - | 5ns | 5ns | |
| 功率耗散（最大值） | - | 200mW | 200mW | |
| 包装 | - | Tape/Reel | Tape/Reel | |
| 二极管配置 | - | 双 串联 | 1对串联式 | |
| 反向耐压VR | - | 30V | 30V | |
| 正向压降VF Min | - | 240mV | - | |
| 零件状态 | - | Active | Active | |
| 正向压降VF Max | - | 1V | 240mV | |
| 元件生命周期 | - | Active | - | |
| 反向击穿电压 | - | 30V | - | |
| 原始制造商 | - | Micro Commercial Components | ON Semiconductor | |
| 原产国家 | - | America | America | |
| Ifsm - 正向浪涌峰值电流 | - | 600mA | 600mA | |
| 结电容 | - | 10pF | - | |
| 存储温度 | - | -55~+125℃ | -55℃~+150℃ | |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | |
| 长x宽/尺寸 | - | 2.20 x 1.35mm | 2.00 x 1.24mm | |
| 高度 | - | 1.00mm | 0.85mm | |
| 品牌 | - | MCC | Onsemi | |
| 引脚数 | - | 3Pin | 3Pin | |
| 是否无铅 | - | Yes | - | |
| 脚间距 | - | - | 1.3mm | |
| 应用 | - | - | 通用 | |
| 总电容C | - | - | 7.6pF | |
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