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    AO4411AO4449、DMP3098LSS-13 的区别

    AO4411

    制造商:AOS

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    AO4449

    制造商:AOS

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    DMP3098LSS-13

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.53000

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    ECCN编码
    包装Tape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMT
    FET功能---
    封装/外壳SOIC-8SO-8_4.9X3.9MMSOIC8_150MIL_EP
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    漏源电压(Vdss)30V30V30V
    Vgs(Max)±20V±20V±20V
    连续漏极电流8A7A5.3A
    晶体管类型P沟道P沟道P沟道
    阈值电压2.4V@250µA2.4V-2.1V
    元件生命周期Active-Active
    引脚数8Pin8Pin8Pin
    输入电容760pF@15V910pF336pF
    高度1.75mm1.50mm1.75mm
    长x宽/尺寸4.90 x 3.90mm4.90 x 3.90mm4.95 x 3.90mm
    是否无铅YesNoYes
    存储温度-55℃~+150℃--55℃~+150℃
    击穿电压30V--30V
    栅极源极击穿电压±20V±20V±20V
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    极性P-沟道P-沟道P-沟道
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    品牌AOSAOSDIODES
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)32mΩ@10V,8A34mΩ@7A,10V65mΩ@10V,5.3A
    系列---
    额定功率3.1W3.1W2.5W
    制造商标准提前期16 周16 周16 周
    零件状态ActiveActiveActive
    类型1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    功率耗散3.1W3.1W2.5W
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V
    原产国家America-America
    原始制造商Alpha & Omega Semiconductor Inc.-Diodes Incorporated
    最小包装3000pcs3000pcs2500pcs
    配置-单路单路
    充电电量-16nC4nC
    漏极电流--5.3A
    栅极电荷(Qg)--4.0nC
    无卤--Yes
    反向传输电容Crss--49pF
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