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CRCW04022K20FKEDTP0610K-T1-E3、LBSS84LT1G 的区别

CRCW04022K20FKED

制造商:Vishay

最优价格:¥89.10605

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TP0610K-T1-E3

制造商:Vishay

最优价格:¥0.99177

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LBSS84LT1G

制造商:LRC

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ECCN编码
精度±1%--
功率62.5mW--
温度系数±100ppm/℃--
长x宽/尺寸1.00 x 0.50mm2.92 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
包装Tape/ReelTape/reelTape/reel
特性Automotive AEC-Q200--
工作温度-55℃~+155℃-55℃~+150℃-
安装类型SMTSMTSMT
封装/外壳0402SOT-23SOT-23
电阻材料Thick Film--
原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.Vishay Intertechnology, Inc.-
引脚数2Pin3Pin3Pin
脚间距0.77mm1.9mm1.91mm
高度0.35mm1.00mm1.00mm
品牌VishayVishayLRC
系列CRCWTrenchFET®-
阻值2.2KΩ--
配置-单路-
连续漏极电流-185A130mA
阈值电压-3V@250µA2V
晶体管类型-P沟道P沟道
漏源电压(Vdss)-60V50V
FET功能---
漏极电流-185mA130mA
最小包装-3000pcs3000pcs
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V-
极性-P-沟道P-沟道
额定功率-350mW225mW
制造商标准提前期-15 周-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-6Ω@10V,500mA10Ω@5V,100mA
湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-
击穿电压-60V-
反向传输电容Crss-5pF-
类型-1个P沟道1个P沟道
充电电量-1.7nC-
输入电容-23pF-
存储温度--55℃~+150℃-
技术路线-MOSFET (Metal Oxide)-
原产国家-America-
零件状态-Active-
认证信息-RoHS, HF(halogen free),-
应用-Consumer-
是否无铅-Yes-
应用等级-Consumer-
元件生命周期-Active-
栅极源极击穿电压-±20V±20V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)-6欧姆@500mA,10V10Ω
功率耗散-350mW225mW
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