尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    SLP471M450H4P3AO3419、AO3413、VB2290 的区别

    SLP471M450H4P3

    制造商:CDE

    最优价格:¥77.40605

    查看详情 查看数据资料

    AO3419

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.43376

    查看详情 查看数据资料

    AO3413

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.32276

    查看详情 查看数据资料

    VB2290

    制造商:VBsemi

    最优价格:¥0.21112

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    等效串联电阻706mΩ---
    额定电压450V---
    容值470μF---
    包装散装 Tape/reelTape/reelTape/reel
    封装/外壳插件,D35xL45mmSOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型插件SMTSMTSMT
    工作温度-25℃~+105℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    精度±20%---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)-
    长x宽/尺寸Ф35.00mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm3.04 x 1.40mm
    脚间距10.00mm1.9mm--
    等级通用级---
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    高度45.00mm1.25mm1.25mm1.12mm
    不同温度时的使用寿命3000Hrs@105°C---
    Vgs(Max)-±12V±8V±12V
    连续漏极电流-2.8A2.4A4.5A
    阈值电压-1.4V@250μA1V@250µA-
    配置-单路单路单路
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    FET功能----
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)-
    反向传输电容Crss-37pF@10V70pF155pF
    类型-1个P沟道1个P沟道-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-85mΩ@4.5V,3A97mΩ@4.5V,3A43mΩ
    额定功率-1.4W1.4W-
    系列----
    是否无铅-YesYes-
    零件状态-ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,10V1.8V,4.5V-
    品牌-AOSAOSVBsemi
    制造商标准提前期-16 周16 周-
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    功率耗散-1.4W1.4W1.25W
    输入电容-400pF@10V540pF@10V835pF
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    漏极电流--3A-
    存储温度---55℃~+150℃-55℃~+150℃
    原始制造商--Alpha and Omega SemiconductorVBsemi Electronics Co. Ltd
    原产国家--AmericaChina Taiwan
    元件生命周期--ActiveActive
    击穿电压--20V20V
    栅极源极击穿电压--±8V±12V
    充电电量--11nC10nC
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照