NTR4003NT3G 与
AO3400A、AO3418、VB1330 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | SOT346 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
| Vgs(Max) | ±20V | ±12V | ±12V | ±20V |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V |
| 连续漏极电流 | 500mA | 5.7A | 3.1A | 5.3A |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 阈值电压 | 1.4V@250μA | 1.5V@250µA | 1.8V@250µA | 1.1V@250µA |
| 包装 | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 高度 | 0.94mm | 1.25mm | 1.25mm | 1.12mm |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) | - |
| 系列 | - | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 制造商标准提前期 | 15 周 | - | 16 周 | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 2.5V,4V | 2.5V,10V | 2.5V,10V | - |
| 功率耗散 | 690mW | 1.4W | 1.4W | 1.1W |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5Ω@4V,10mA | 26.5mΩ@10V,5.7A | 60mΩ@10V,3.8A | 33mΩ |
| 额定功率 | 690mW | 1.4W | 1.4W | - |
| 输入电容 | 21pF@5V | 630pF@15V | 270pF@15V | 335pF |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | - |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.60mm | 3.04 x 1.40mm |
| 漏极电流 | - | 5.7A | 3.8A | - |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| 反向传输电容Crss | - | 50pF | 25pF | 17pF |
| 充电电量 | - | 6nC | 10nC | 2.1nC |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 原始制造商 | - | Alpha and Omega Semiconductor | Alpha and Omega Semiconductor | VBsemi Electronics Co. Ltd |
| 原产国家 | - | America | America | China Taiwan |
| 品牌 | - | AOS | AOS | VBsemi |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | Active |
| 击穿电压 | - | 30V | 30V | 30V |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±12V | ±12V | ±20V |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 3.2nC | 6.7nC |
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