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    2N7002LT1G2N7002Q-7-F、2N7002E-7-F、2V7002LT1G 的区别

    2N7002LT1G

    制造商:ON

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    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

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    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.13104

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    2V7002LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.30849

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    ECCN编码
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    漏极电流115mA--115mA
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    阈值电压2.5V@250µA2.5V2.5V@250µA2.5V@250µA
    连续漏极电流115mA170mA250mA115mA
    配置单路--单路
    漏源电压(Vdss)60V60V60V60V
    FET功能----
    包装Tape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reel
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    Vgs(Max)40V±20V±20V±20V
    功率耗散225mW370mW370mW225mW
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7.5Ω@10V,500mA5Ω@500mA,10V3Ω@10V,250mA7.5Ω@10V,500mA
    最小包装3000pcs3000pcs-3000pcs
    原始制造商ON SemiconductorDiodes Incorporated-ON Semiconductor
    品牌ONDIODESDIODESON
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)5V,10V5,10V4.5V,10V5V,10V
    原产国家AmericaAmerica-America
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm2.90 x 1.30mm
    印字代码702 M= =--702 M= =
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)1(无限)
    认证信息RoHS--RoHS
    额定功率225mW370mW370mW225mW
    高度1.11mm1.15mm1.10mm1.11mm
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    存储温度-55℃~+150℃---55℃~+150℃
    输入电容50pF@25V50pF50pF@25V50pF@25V
    元件生命周期ActiveActive--
    击穿电压60V60V-60V
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    栅极源极击穿电压±20V±20V-±20V
    是否无铅Yes-YesYes
    反向传输电容Crss5pF--5pF
    栅极电荷(Qg)-0.233nC--
    系列-Automotive,AEC-Q101-Automotive,AEC-Q101
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    制造商标准提前期--12 周26 周
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