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    2N7002E-7-F2V7002LT1G、2N7002-TP 的区别

    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.13104

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    2V7002LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.30849

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    2N7002-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.05559

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    ECCN编码
    FET功能---
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    Vgs(Max)±20V±20V-
    连续漏极电流250mA115mA115mA
    包装剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    漏源电压(Vdss)60V60V60V
    安装类型SMTSMTSMT
    阈值电压2.5V@250µA2.5V@250µA2.5V
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@10V,250mA7.5Ω@10V,500mA1.2Ω@10V,500mA
    输入电容50pF@25V50pF@25V50pF@25V
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    引脚数3Pin3Pin3Pin
    高度1.10mm1.11mm1.12mm
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    系列-Automotive,AEC-Q101-
    制造商标准提前期12 周26 周8 周
    零件状态ActiveActiveActive
    是否无铅YesYesYes
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V5V,10V5V,10V
    品牌DIODESONMCC
    长x宽/尺寸3.00 x 1.40mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm
    功率耗散370mW225mW200mW
    极性N-沟道N-沟道N-沟道
    额定功率370mW225mW200mW
    配置-单路单路
    漏极电流-115mA-
    栅极电荷(Qg)---
    栅极源极击穿电压-±20V-
    击穿电压-60V-
    反向传输电容Crss-5pF5pF@25V
    存储温度--55℃~+150℃-
    最小包装-3000pcs3000pcs
    印字代码-702 M= =-
    原始制造商-ON SemiconductorMicro Commercial Components
    认证信息-RoHS-
    原产国家-AmericaAmerica
    元件生命周期--Active
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