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2N7002ET1G 与
2N7002Q-7-F、2N7002E-7-F 的区别
制造商：ON 最优价格：￥0.10095 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.17594 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.13104 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 栅极电荷(Qg) | 0.81nC | 0.233nC | - | |
| 连续漏极电流 | 260mA | 170mA | 250mA | |
| 阈值电压 | 2.5V@250µA | 2.5V | 2.5V@250µA | |
| 配置 | 单路 | - | - | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 60V | 60V | |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,240mA | 5Ω@500mA,10V | 3Ω@10V,250mA | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | 1（无限） | |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | - | |
| 系列 | - | Automotive,AEC-Q101 | - | |
| 认证信息 | RoHS | - | - | |
| 原始制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | - | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 原产国家 | America | America | - | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | 5,10V | 4.5V，10V | |
| 元件生命周期 | Active | Active | - | |
| 品牌 | ON | DIODES | DIODES | |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | |
| 制造商标准提前期 | 26 周 | - | 12 周 | |
| 是否无铅 | Yes | - | Yes | |
| 击穿电压 | 60V | 60V | - | |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | ±20V | - | |
| 输入电容 | 26.7pF | 50pF | 50pF@25V | |
| 反向传输电容Crss | 2.9pF | - | - | |
| 充电电量 | 0.81nC | - | - | |
| 功率耗散 | 300mW | 370mW | 370mW | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | - | |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 3.00 x 1.40mm | |
| 额定功率 | 300mW | 370mW | 370mW | |
| 高度 | 1.11mm | 1.15mm | 1.10mm | |
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