购物车
上传BOM
HS9Z-A51 与
SI2302CDS-T1-GE3 的区别
制造商：IDEC 最优价格：￥87.66368 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥0.21648 查看详情 | |||
| ECCN编码 | ||||
| 原始制造商 | IDEC | Vishay Intertechnology, Inc. | ||
| 基本产品编号 | HS9Z | - | ||
| 产品状态 | 在售 | - | ||
| 配件类型 | 操作键 | - | ||
| 配套使用产品/相关产品 | HS5B,HS5D和HS5E系列 | - | ||
| 包装 | 散装 | Tape/reel | ||
| 系列 | - | TrenchFET® | ||
| 晶体管类型 | - | N沟道 | ||
| 配置 | - | 单路 | ||
| 连续漏极电流 | - | 2.6A | ||
| 阈值电压 | - | 850mV@250µA | ||
| 栅极电荷(Qg) | - | 5.5nC | ||
| Vgs(Max) | - | ±8V | ||
| FET功能 | - | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V | ||
| 漏极电流 | - | 2.6A | ||
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃ | ||
| 安装类型 | - | SMT | ||
| 封装/外壳 | - | SOT-23 | ||
| 额定功率 | - | 710mW | ||
| 元件生命周期 | - | Active | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 57mΩ@4.5V,3.6A | ||
| 脚间距 | - | 1.9mm | ||
| 零件状态 | - | Active | ||
| 品牌 | - | Vishay | ||
| 极性 | - | N-沟道 | ||
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | ||
| 击穿电压 | - | 20V | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 2.5V，4.5V | ||
| 栅极源极击穿电压 | - | ±8V | ||
| 充电电量 | - | 3.5nC | ||
| 功率耗散 | - | 710mW | ||
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | ||
| 长x宽/尺寸 | - | 2.95 x 1.30mm | ||
| 输入电容 | - | - | ||
| 高度 | - | 1.00mm | ||
| 最小包装 | - | 3000pcs | ||
| 是否无铅 | - | Yes | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | ||
| 原产国家 | - | America | ||
| 制造商标准提前期 | - | 19 周 | ||
| 类型 | - | 1个N沟道 | ||
| 引脚数 | - | 3Pin | ||
| 加入购物车 | 加入购物车 | 加入购物车 |
同类型型号推荐
加入购物车成功！
工商网监