制造商:Microchip 最优价格:¥32.51609 查看详情 查看数据资料 | 制造商:DIODES 最优价格:¥1.93315 查看详情 | 制造商:DIODES 最优价格:¥0.89599 查看详情 查看数据资料 | 制造商:ON 最优价格:¥0.30317 查看详情 | |
ECCN编码 | ||||
封装/外壳 | 64-LQFP | SOT-23 | SC59 | SOT-23 |
协议 | USB | - | - | - |
包装 | 托盘 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
功能 | 集线器控制器 | - | - | - |
电源电压 | 3V~3.6V | - | - | - |
电源电流 | 100mA | - | - | - |
湿气敏感性等级 (MSL) | 3(168 小时) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) |
接口 | USB | - | - | - |
制造商标准提前期 | 3 周 | 8 周 | 8 周 | 20 周 |
零件状态 | 在售 | Active | Active | Active |
标准 | USB2.0 | - | - | - |
工作温度 | 0℃~+70℃ | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
漏极电流 | - | 3.8A | - | 1.13A |
安装类型 | - | SMT | SMT | SMT |
栅极电荷(Qg) | - | 5.2nC | - | - |
漏源电压(Vdss) | - | 30V | 30V | 30V |
FET功能 | - | - | - | - |
阈值电压 | - | 2.1V | 3V@1mA | 3V@250µA |
连续漏极电流 | - | 3.8A | 700mA | 1.13A |
栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±20V | ±20V |
额定功率 | - | 1.08W | 500mW | 400mW |
极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
反向传输电容Crss | - | 41pF | - | 50pF |
长x宽/尺寸 | - | 2.90 x 1.30mm | 3.10 x 1.70mm | 2.90 x 1.30mm |
高度 | - | 1.00mm | 1.40mm | 1.00mm |
是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
充电电量 | - | 5.2nC | - | 6nC |
元件生命周期 | - | Active | - | Active |
品牌 | - | DIODES | DIODES | ON |
原始制造商 | - | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ON Semiconductor Inc. |
原产国家 | - | America | - | America |
系列 | - | - | - | - |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 65mΩ@10V,3.8A | 250mΩ@10V,400mA | 200mΩ@10V,1.95A |
类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | - | 65毫欧@3.8A,10V | - | 200毫欧@1.95A,10V |
引脚数 | - | 3Pin | - | 3Pin |
功率耗散 | - | 1.08W | 500mW | 400mW |
技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 4.5V,10V | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
输入电容 | - | 563pF | 160pF@10V | 200pF@15V |
配置 | - | - | 单路 | 单路 |
击穿电压 | - | - | - | 30V |
存储温度 | - | - | - | -55℃~+150℃ |
印字代码 | - | - | - | TR2 M= = |
认证信息 | - | - | - | RoHS |
加入购物车 | 加入购物车 | 加入购物车 | 加入购物车 | 加入购物车 |
同类型型号推荐