IR2101SPBF 与
TF2101M-TAH、IRS2101STRPBF 的区别
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ECCN编码 | ||||
封装/外壳 | SOIC-8_4.9X3.9MM | SOIC8_150MIL | SOIC8_150MIL | |
上升/下降时间 | 100ns,50ns | - | 70, 35ns | |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
通道类型 | Independent | - | Detached | |
输出类型 | - | - | - | |
工作电压 | 10V~20V | - | 10V~20V | |
引脚数 | 8Pin | 8Pin | 8Pin | |
输入类型 | Non-Inverting | - | Non-Inverting | |
高压侧电压-最大值(自举) | 600V | - | 600V | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | -40℃~+125℃ | -40℃~+150℃ | |
是否无铅 | Yes | - | Yes | |
电源电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | |
供电电压 | 10V~20V | 10V~20V | 10V~20V | |
通道数 | 2 | 2 | 2 | |
系列 | - | - | Original | |
负载类型 | MOSFET;IGBT | - | MOSFET;IGBT | |
品牌 | Infineon | TFSS | Infineon | |
驱动器数 | 2 | - | 2 | |
原始制造商 | Infineon Technologies AG | TF Semiconductor Solutions | - | |
栅极类型 | IGBT, N通道 MOSFET | - | IGBT, N通道 MOSFET | |
逻辑电压 -VIL,VIH | 0.8V,3V | - | 0.8V,2.5V | |
长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | |
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 210mA,360mA | - | 290mA,600mA | |
高度 | 1.38mm | 1.45mm | 1.75mm | |
存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | |
原产国家 | - | Germany | - | |
最小包装 | - | 2500pcs | 2500pcs | |
元件生命周期 | - | Active | - | |
输出电流 | - | - | - | |
逻辑低电平 | - | - | 0.8, 2.5V | |
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