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    PCA9555D,1122V7002LT1G、2N7002-TP、2N7002ET1G 的区别

    PCA9555D,112

    制造商:NXP

    最优价格:¥12.32355

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    2V7002LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.30849

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    2N7002-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.05559

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    2N7002ET1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10095

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    ECCN编码
    包装管装Tape/reelTape/reelTape/reel
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    封装/外壳SOIC24_300MILSOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    电源电压2.3V~5.5V---
    特性POR---
    接口I2C,SMBus---
    I/O数16---
    系列-Automotive,AEC-Q101--
    制造商标准提前期7 周26 周8 周26 周
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesYes
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    引脚数24Pin3Pin3Pin3Pin
    长x宽/尺寸15.40 x 7.50mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm
    高度2.35mm1.11mm1.12mm1.11mm
    时钟频率400KHz---
    输出类型推挽式---
    电流-灌/拉输出10mA,25mA---
    中断输出---
    零件状态在售ActiveActiveActive
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V-±20V
    漏极电流-115mA--
    栅极电荷(Qg)---0.81nC
    配置-单路单路单路
    阈值电压-2.5V@250µA2.5V2.5V@250µA
    连续漏极电流-115mA115mA260mA
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    反向传输电容Crss-5pF5pF@25V2.9pF
    功率耗散-225mW200mW300mW
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    印字代码-702 M= =--
    原始制造商-ON SemiconductorMicro Commercial ComponentsON Semiconductor
    认证信息-RoHS-RoHS
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    额定功率-225mW200mW300mW
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-7.5Ω@10V,500mA1.2Ω@10V,500mA2.5Ω@10V,240mA
    品牌-ONMCCON
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    输入电容-50pF@25V50pF@25V26.7pF
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-5V,10V5V,10V4.5V,10V
    栅极源极击穿电压-±20V-±20V
    击穿电压-60V-60V
    元件生命周期--ActiveActive
    充电电量---0.81nC
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