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    BC817-25-TPBC817-25、BC817-25_R1_00001、BC817-25LT1G 的区别

    BC817-25-TP

    制造商:MCC

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    BC817-25

    制造商:DIOTEC

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    BC817-25_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    BC817-25LT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    Vce饱和压降700mV700mV-700mV
    集射极击穿电压Vce(Max)45V45V45V45V
    包装Tape/reelTape/reel-Tape/reel
    晶体管类型NPNNPNNPNNPN
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-65℃~+150℃
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    跃迁频率100MHz100MHz-100MHz
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    DC电流增益(hFE)160~400160~400160@100mA,1V160@100mA,1V
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.92 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    集电极电流 Ic500mA800mA500mA500mA
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))45V45V45V45V
    最小包装3000pcs3000pcs-3000pcs
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)--1(无限)
    极性NPNNPN-NPN
    功率耗散300mW310mW330mW300mW
    制造商标准提前期8 周--12 周
    集电极截止电流 (Icbo)100nA100nA-100nA
    元件生命周期Active-ActiveActive
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    是否无铅Yes-YesYes
    系列--BC817-
    品牌MCCDiotecPANJITON
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    特征频率(fT)100MHz100MHz100MHz100MHz
    高度1.12mm1.10mm1.00mm1.00mm
    额定功率310mW310mW330mW300mW
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO-45V-45V
    发射极基极导通电压VBE(on)-1.2V-1.2V
    发射极与基极之间电压 VEBO-5V-5V
    原始制造商-Diotec Semiconductor AG-ON Semiconductor Inc.
    原产国家--ChinaAmerica
    认证信息--RoHSRoHS
    存储温度---55℃~+150℃-
    配置---单路
    集电极-基极电压(VCBO)---50V
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