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M24C32-WMN6TPESD5B5.0ST1G、CESD5V0D5、ESD5Z5.0 的区别

M24C32-WMN6TP

制造商:ST

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ESD5B5.0ST1G

制造商:ON

最优价格:¥0.20341

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CESD5V0D5

制造商:JSCJ

最优价格:¥0.07080

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ESD5Z5.0

制造商:SK

最优价格:¥0.05085

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ECCN编码
安装类型SMTSMTSMTSMT
包装Tape/ReelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
封装/外壳SOIC8_150MILSOD-523(SC-79)SOD-523(SC-79)SOD-523(SC-79)
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)--
接口类型I2C---
工作电流(Max)----
存储容量32Kb---
最大时钟频率1MHz---
写周期时间-字,页5ms---
存取时间450ns---
工作电压(范围)2.5V~5.5V---
高度1.75mm0.60mm0.77mm0.60mm
引脚数8Pin2Pin2Pin2Pin
最小包装2500pcs3000pcs8000pcs3000pcs
原始制造商STMicroelectronicsON Semiconductor Inc.-Taiwan Shikues Electronics Co., Ltd.
零件状态Not For New DesignsActiveActiveActive
系列-Automotive,AEC-Q101--
品牌STOnsemiJCETSHIKUES
制造商标准提前期6 周24 周--
是否无铅YesYesYesYes
存储器类型非易失---
技术EEPROM---
工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃(TJ)+150℃(TJ)-55℃~+150℃
速度----
长x宽/尺寸4.90 x 3.90mm1.20 x 0.80mm1.30 x 0.85mm1.20 x 0.80mm
存储器格式EEPROM---
极性-双向单向单向
结电容-32pF@1MHz95pF80pF@1MHz
击穿电压 -min-5.8V6.2V6.2V
击穿电压-5.8V-6.2V
峰值脉冲电流(Ipp)--13A9.4A
电源线路保护---
钳位电压--13V18.6V
类型-齐纳-ESD
通道数-111
电源电压-5V5V5V
存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
反向断态电压-5V5V5V
功率-峰值脉冲-50W170W174W
击穿电压Max-7.8V7.3V-
元件生命周期-Active-Active
应用-Automobile grade--
原产国家-America-China Taiwan
最大工作电压(DC)--5V5V
反向漏电流 IR---1uA
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