制造商:DIOTEC 最优价格:¥0.08975 查看详情 查看数据资料 | 制造商:Vishay 最优价格:¥0.46556 查看详情 查看数据资料 | 制造商:EIC 最优价格:¥0.67312 查看详情 查看数据资料 | 制造商:DIODES 最优价格:¥0.17977 查看详情 查看数据资料 | |
ECCN编码 | ||||
封装/外壳 | SOT-23 | DO-41(DO-204AL) | DO-204AL | DO-41(DO-204AL) |
Vce饱和压降 | 700mV | - | - | - |
工作温度 | -55℃~+150℃ | - | - | - |
安装类型 | SMT | 插件 | - | 插件 |
集射极击穿电压Vce(Max) | 45V | - | - | - |
包装 | Tape/reel | Tape/Reel | - | Tape/Reel |
晶体管类型 | NPN | - | - | - |
DC电流增益(hFE) | 160~400 | - | - | - |
跃迁频率 | 100MHz | - | - | - |
品牌 | Diotec | Vishay | - | DIODES |
长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | Φ2.70 x 5.20mm | - | Φ2.72 x 5.21mm |
功率耗散 | 310mW | - | - | - |
极性 | NPN | - | - | - |
发射极基极导通电压VBE(on) | 1.2V | - | - | - |
发射极与基极之间电压 VEBO | 5V | - | - | - |
集电极-发射极电压 VCEO | 45V | - | - | - |
特征频率(fT) | 100MHz | - | - | - |
零件状态 | Active | Active | - | Active |
原始制造商 | Diotec Semiconductor AG | Vishay Intertechnology, Inc. | - | Diodes Incorporated |
集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO | 45V | - | - | - |
集电极截止电流 (Icbo) | 100nA | - | - | - |
引脚数 | 3Pin | 2Pin | - | 2Pin |
额定功率 | 310mW | - | - | - |
最小包装 | 3000pcs | 5500pcs | - | 5000pcs |
集电极电流 Ic | 800mA | - | - | - |
高度 | 1.10mm | 8.85mm | - | 2.72mm |
速度 | - | 标准恢复>500ns,>200mA(Io) | Fast Recovery =< 500ns,> 200mA(Io) | - |
反向峰值电压(最大值) | - | 1KV | - | - |
湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1(无限) | - | 1(无限) |
反向耐压VR | - | 1KV | 1000V | 1KV |
正向压降VF | - | 1.1V | 2.5V@1A | 1V |
反向漏电流IR | - | 5μA | 5μA@1000V | 5μA |
平均整流电流 | - | 1A | 1A | 1A |
工作温度-结 | - | -50°C~150°C | -65℃~+175℃ | -65°C~175°C |
二极管配置 | - | 单路 | - | - |
二极管类型 | - | 标准 | Avalanche | - |
正向压降VF Max | - | 1.1V | - | 1V |
元件生命周期 | - | Active | - | - |
是否无铅 | - | Yes | - | Yes |
Ifsm - 正向浪涌峰值电流 | - | 30A | - | - |
总电容C | - | 15pF | - | - |
原产国家 | - | America | - | America |
存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | - |
制造商标准提前期 | - | 10 周 | - | 6 周 |
脚间距 | - | 9.3mm | - | 9.27mm |
反向恢复时间(trr) | - | - | 75ns | 2µs |
Vf正向峰值电压 | - | - | 2.5V @ 1 A | - |
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