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BC847BSBC847BLT1G、BC847BLT1G、BC847B-7-F 的区别

BC847B

制造商:DIOTEC

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SBC847BLT1G

制造商:ON

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BC847BLT1G

制造商:ON

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BC847B-7-F

制造商:DIODES

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ECCN编码
封装/外壳SOT23-3SOT-23SOT-23SOT-23
安装类型-SMTSMTSMT
包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
Vce饱和压降-600mV600mV600mV
配置-单路单路单路
晶体管类型-NPNNPNNPN
工作温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-65℃~+150℃
集射极击穿电压Vce(Max)-45V45V45V
跃迁频率-100MHz100MHz300MHz
DC电流增益(hFE)-290200~450200
集电极-基极电压(VCBO)-50V50V50V
集电极电流 Ic-100mA100mA100mA
湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
极性-NPNNPNNPN
品牌-ONONDIODES
集电极截止电流 (Icbo)-15nA(ICBO)15nA(ICBO)15nA
印字代码-1F1F-
原产国家-AmericaAmerica-
原始制造商-ON SemiconductorON SemiconductorDiodes Incorporated
是否无铅-无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYes
最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
高度-1.00mm1.00mm1.10mm
零件状态-在售ActiveActive
长x宽/尺寸-2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm
存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
系列---Original
功率耗散-300mW300mW310mW
特征频率(fT)-100MHz100MHz300MHz
发射极与基极之间电压 VEBO-6V6V6V
额定功率-300mW300mW300mW
制造商标准提前期-12 周12 周-
集电极-发射极电压 VCEO-45V45V45V
引脚数-3Pin3Pin3Pin
集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO--45V45V
发射极基极导通电压VBE(on)--660mV-
元件生命周期---Active
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