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    GRM32ER61C476KE15LB0540W-7-F、MBR0540T3G、MBR0540T1G 的区别

    GRM32ER61C476KE15L

    制造商:Murata

    最优价格:¥0.90430

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    B0540W-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.47455

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    MBR0540T3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.15594

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    MBR0540T1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.17250

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+85℃-65℃~+150℃(TJ)--55℃~+150℃
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    特性----
    封装/外壳1210SOD-123SOD-123SOD-123
    容值47μF---
    精度±10%---
    额定电压16V---
    长x宽/尺寸3.20 x 2.50mm2.85 x 1.70mm2.84 x 1.80mm2.70 x 1.60mm
    包装Tape/ReelTape/Reel剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/Reel
    电介质X5R---
    品牌MuRataDIODES-Onsemi
    引脚数2Pin2Pin2Pin2Pin
    系列GRM---
    高度2.50mm1.35mm1.35mm1.15mm
    反向峰值电压(最大值)-40V-40V
    工作温度-结--65°C~150°C-55°C~150°C-55°C~150°C
    平均整流电流-500mA500mA500mA
    反向耐压VR-40V40V40V
    反向恢复时间(trr)----
    速度-快速恢复=<500ns,>200mA(Io)快速恢复=<500ns,>200mA(Io)快速恢复=<500ns,>200mA(Io)
    二极管类型-肖特基肖特基肖特基
    正向压降VF-510mV510mV510mV
    反向漏电流IR-5mA20μA@1V20µA
    二极管配置-单路-单路
    正向压降VF Max-620mV-460mV
    应用-通用-通用
    反向击穿电压-40V--
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-5.5A-5.5A
    总电容C-170pF--
    是否无铅-YesYesYes
    存储温度--65~+150℃--55℃~+150℃
    元件生命周期-Active--
    最小包装-3000pcs-3000pcs
    原始制造商-Diodes Incorporated-ON Semiconductor
    原产国家-America-America
    认证信息-RoHS, AEC-Q101--
    零件状态-ActiveActiveActive
    脚间距-3.37mm-3.45mm
    制造商标准提前期--15 周20 周
    正向电流---500mA
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