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2N7002,215 与
BSS192,115、BSS192,135、BST82,215 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | -65℃~+150℃(TJ) |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | - | - |
| 配置 | 单路 | 单路 | 单路 | 单路 |
| 晶体管类型 | N沟道 | P沟道 | P沟道 | N沟道 |
| 漏极电流 | 300mA | - | - | 190mA |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT89-3 | SOT89-3 | SOT-23 |
| 阈值电压 | 2.5V@250µA | 2.8V@1mA | 2.8V@1mA | 2V@1mA |
| 连续漏极电流 | 300mA | 200mA | 200mA | 190mA |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | 240V | 240V | 100V |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 系列 | TrenchMOS™ | - | - | TrenchMOS™ |
| 原产国家 | America | Netherlands | Netherlands | America |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | 13 周 | 13 周 | 8 周 |
| 印字代码 | 0.12 | - | - | - |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | - | - | 12欧姆@200mA，10V | 10欧姆@150mA，5V |
| 是否无铅 | Yes | Yes | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes |
| 品牌 | Nexperia | Nexperia | Nexperia | Nexperia |
| 输入电容 | 50pF | 55pF | 55pF | 40pF |
| 极性 | N-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | N-沟道 |
| 击穿电压 | 60V | 240V | 240V | 100V |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 栅极源极击穿电压 | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 反向传输电容Crss | 3.5pF | 5pF | 5pF | 5pF |
| 功率耗散 | 830mW | 1W | 1W | 830mW |
| 存储温度 | -65℃~+150℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | -65℃~+150℃ |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | 10V | - | 5V |
| 长x宽/尺寸 | 3.00 x 1.40mm | 4.60 x 2.60mm | 4.50 x 2.50mm | 2.90 x 1.30mm |
| 高度 | 1.10mm | 1.60mm | 1.50mm | 1.10mm |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 零件状态 | Active | Active | 在售 | Active |
| 最小包装 | 3000pcs | 1000pcs | 1000pcs | 3000pcs |
| 原始制造商 | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. | Nexperia Electronics Co. Ltd | Nexperia Electronics Co. Ltd | Nexperia Semiconductor Co., Ltd. |
| 充电电量 | - | 1.9nC | 1.9nC | - |
| 认证信息 | - | - | - | RoHS |
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