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    PALLV16V8-10JCMMBT5551LT3G、MMBT5551-TP、MMBT5551_R1_00001 的区别

    PALLV16V8-10JC

    制造商:Lattice

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    ECCN编码
    电压-电源3V~3.6V---
    封装/外壳LCC20SOT-23SOT-23SOT-23
    可编程类型EEPLD---
    工作温度0℃~+75℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)-
    原始制造商Rochester Electronics,LLCON SemiconductorMicro Commercial Components-
    包装-Tape/reelTape/reel-
    配置-单路--
    集射极击穿电压Vce(Max)-160V160V160V
    Vce饱和压降-200mV500mV200mV
    跃迁频率--100MHz100MHz
    DC电流增益(hFE)-80~25010080@10mA,5V
    安装类型-SMTSMTSMT
    晶体管类型-NPNNPNNPN
    是否无铅-YesYesYes
    极性-NPNNPN-
    品牌-ONMCCPANJIT
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-160V160V160V
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V--
    制造商标准提前期-12 周8 周-
    功率耗散-225mW300mW250mW
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    零件状态-ActiveActiveActive
    高度-1.11mm1.00mm1.10mm
    最小包装-10000pcs3000pcs-
    系列--Original-
    原产国家-AmericaAmericaChina Taiwan
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA50nA(ICBO)-
    印字代码-G1--
    额定功率-225mW300mW250mW
    集电极-基极电压(VCBO)-180V--
    集电极电流 Ic-600mA600mA600mA
    元件生命周期--ActiveActive
    特征频率(fT)--100MHz100MHz
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