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    KW DELPS2.RA-QISI-FK0PM0-U515-2-SNTD6414ANT4G、STD30N10F7、STD25NF10LT4 的区别

    KW DELPS2.RA-QISI-FK0PM0-U515-2-S

    制造商:ams OSRAM

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    NTD6414ANT4G

    制造商:ON

    最优价格:¥12.36000

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    STD30N10F7

    制造商:ST

    最优价格:¥3.36067

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    STD25NF10LT4

    制造商:ST

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    ECCN编码
    电路配置----
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    长x宽/尺寸1.40 x 0.80mm6.73 x 6.22mm6.60 x 6.20mm6.50 x 6.10mm
    特性----
    正向压降(Vf)2.9V---
    封装/外壳SMD2DPAK3TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)
    视角120°---
    测试电流10mA---
    发光颜色白色---
    主波长----
    零件状态在售ActiveActiveActive
    毫烛光等级----
    透镜样式矩形,带平顶---
    系列--DeepGATE™,STripFET™VIISTripFET™II
    发光角度120°---
    正向电流10mA---
    峰值波长----
    透镜透明度散射---
    透镜尺寸1.23 x 0.60mm---
    高度0.70mm2.38mm2.40mm2.40mm
    透镜颜色----
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    漏源电压(Vdss)-100V100V100V
    FET功能----
    工作温度--55℃~+175℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃
    Vgs(Max)-±20V20V±16V
    连续漏极电流-32A32A25A
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    阈值电压-4V@250µA4.5V2.5V
    输入电容-1.45nF@25V1.27nF1.71nF
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    品牌-ONSTST
    额定功率-100W-100W
    类型-1个N沟道-1个N沟道
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    最小包装-2500pcs2500pcs2500pcs
    是否无铅-YesNoYes
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-10V10V4.5V,10V
    制造商标准提前期-9 周-26 周
    原始制造商-WAVESHARE ELECTRONICS--
    功率耗散-100W50W100W
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-37毫欧@32A,10V24毫欧@16A,10V35mΩ@10V,12.5A
    配置--单路单路
    充电电量--19nC52nC
    元件生命周期--Active-
    栅极源极击穿电压--20V±16V
    漏极电流---25A
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