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    KW DELPS2.RA-QISI-FK0PM0-U515-2-SIPD30N10S3L-34、NTD6414ANT4G、STD30N10F7 的区别

    KW DELPS2.RA-QISI-FK0PM0-U515-2-S

    制造商:ams OSRAM

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    IPD30N10S3L-34

    制造商:Infineon

    最优价格:¥4.14751

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    NTD6414ANT4G

    制造商:ON

    最优价格:¥12.36000

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    STD30N10F7

    制造商:ST

    最优价格:¥3.36067

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    ECCN编码
    测试电流10mA---
    发光颜色白色---
    主波长----
    电路配置----
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    长x宽/尺寸1.40 x 0.80mm6.73 x 6.22mm6.73 x 6.22mm6.60 x 6.20mm
    特性----
    正向压降(Vf)2.9V---
    封装/外壳SMD2TO-252AADPAK3TO-252(DPAK)
    视角120°---
    透镜透明度散射---
    透镜尺寸1.23 x 0.60mm---
    高度0.70mm2.39mm2.38mm2.40mm
    透镜颜色----
    零件状态在售ActiveActiveActive
    毫烛光等级----
    透镜样式矩形,带平顶---
    系列-OptiMOS™-DeepGATE™,STripFET™VII
    发光角度120°---
    正向电流10mA---
    峰值波长----
    漏源电压(Vdss)-100V100V100V
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    FET功能----
    工作温度--55℃~+175℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃
    Vgs(Max)-±20V±20V20V
    配置-单路-单路
    连续漏极电流-30A32A32A
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    阈值电压-2.4V@29µA4V@250µA4.5V
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-31毫欧@30A,10V37毫欧@32A,10V24毫欧@16A,10V
    击穿电压-100V--
    存储温度--55℃~+175℃--
    反向传输电容Crss-45pF--
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    输入电容-1.52nF1.45nF@25V1.27nF
    最小包装-2500pcs2500pcs2500pcs
    无卤-Yes--
    是否无铅-YesYesNo
    元件生命周期-Active-Active
    原始制造商-Infineon Technologies AGWAVESHARE ELECTRONICS-
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    原产国家-Germany--
    认证信息-RoHS--
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    栅极源极击穿电压-±20V-20V
    功率耗散-57W100W50W
    制造商标准提前期-26 周9 周-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V10V10V
    品牌-InfineonONST
    额定功率--100W-
    类型--1个N沟道-
    充电电量---19nC
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