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KW DELPS2.RA-QISI-FK0PM0-U515-2-S 与
STD25NF10LT4、AOD482、IPD30N10S3L-34 的区别
KW DELPS2.RA-QISI-FK0PM0-U515-2-S 制造商：ams OSRAM 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥1.40000 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Infineon 最优价格：￥4.07001 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 长x宽/尺寸 | 1.40 x 0.80mm | 6.50 x 6.10mm | 6.60 x 6.10mm | 6.73 x 6.22mm |
| 特性 | - | - | - | - |
| 正向电压（Vf） | 2.9V | - | - | - |
| 封装/外壳 | SMD2 | TO-252-2(DPAK) | TO-252-2(DPAK) | TO-252AA(D-PAK) |
| 视角 | 120° | - | - | - |
| 测试电流 | 10mA | - | - | - |
| 发光颜色 | 白色 | - | - | - |
| 主波长 | - | - | - | - |
| 电路配置 | - | - | - | - |
| 透镜样式 | 矩形,带平顶 | - | - | - |
| 系列 | - | STripFET™II | - | OptiMOS™ |
| 发光角度 | 120° | - | - | - |
| 正向电流 | 10mA | - | - | - |
| 峰值波长 | - | - | - | - |
| 透镜尺寸 | 1.23 x 0.60mm | - | - | - |
| 透镜透明度 | 散射 | - | - | - |
| 高度 | 0.70mm | 2.40mm | 2.29mm | 2.39mm |
| 透镜颜色 | - | - | - | - |
| 零件状态 | 在售 | Active | Active | Active |
| 毫烛光等级 | - | - | - | - |
| 漏极电流 | - | 25A | - | - |
| 漏源电压(Vdss) | - | 100V | 100V | 100V |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 连续漏极电流 | - | 25A | 32A | 30A |
| 工作温度 | - | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 阈值电压 | - | 2.5V | 2.7V@250µA | 2.4V@29µA |
| 包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | 单路 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 最小包装 | - | 2500pcs | 2500pcs | 2500pcs |
| 充电电量 | - | 52nC | - | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 35mΩ@10V,12.5A | 37mΩ@10V,10A | - |
| 品牌 | - | ST | AOS | Infineon |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | - |
| 引脚数 | - | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | - | 35毫欧@12.5A，10V | - | 31毫欧@30A，10V |
| 输入电容 | - | 1.71nF | 2nF@50V | 1.52nF |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率耗散 | - | 100W | 100W | 57W |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±16V | ±20V | ±20V |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 额定功率 | - | 100W | 2.5W,100W | - |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 制造商标准提前期 | - | 26 周 | 16 周 | 26 周 |
| 击穿电压 | - | - | 100V | 100V |
| 元件生命周期 | - | - | Active | Active |
| 原始制造商 | - | - | Alpha and Omega Semiconductor | Infineon Technologies AG |
| 原产国家 | - | - | America | Germany |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ |
| 认证信息 | - | - | - | RoHS |
| 反向传输电容Crss | - | - | - | 45pF |
| 无卤 | - | - | - | Yes |
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