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    CAT24C16WI-GT3B0530W-7-F、MBR0520LT1G、MBR0530T1G 的区别

    CAT24C16WI-GT3

    制造商:ON

    最优价格:¥1.29722

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    B0530W-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.20757

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    MBR0520LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.17920

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    MBR0530T1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.16324

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    ECCN编码
    存取时间900ns---
    包装Bulk packingTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    工作电压(范围)5.5V---
    写周期时间(Tw)1000000次---
    接口类型I2C---
    封装/外壳SOIC8SOD-123SOD-123SOD-123
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    存储容量16Kbit---
    最大时钟频率400KHz---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    工作温度-40℃~+85℃-65℃~+125℃(TJ)-65℃~+125℃(TJ)-65℃~+125℃
    存储器类型非易失---
    高度1.38mm1.45mm1.35mm1.35mm
    长x宽/尺寸4.90 x 3.90mm2.85 x 1.70mm2.69 x 1.60mm2.84 x 1.80mm
    品牌ONDIODESOnsemiOnsemi
    引脚数8Pin2Pin2Pin2Pin
    存储器格式EEPROM---
    技术EEPROM---
    原始制造商Catalyst IncDiodes IncorporatedON Semiconductor Inc.ON Semiconductor
    反向峰值电压(最大值)-30V20V30V
    功率耗散(最大值)-410mW--
    反向耐压VR-30V20V30V
    二极管类型-肖特基肖特基肖特基
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    平均整流电流-500mA500mA500mA
    反向恢复时间(trr)----
    正向压降VF-430mV385mV430mV
    速度-快速恢复=<500ns,>200mA(Io)快速恢复=<500ns,>200mA(Io)快速恢复=<500ns,>200mA(Io)
    反向漏电流IR-130µA250µA130µA
    工作温度-结--65°C~125°C-65°C~125°C-65°C~125°C
    二极管配置-单路单路单路
    总电容C-170pF--
    存储温度--65~+125℃-65~+150℃-65~+150℃
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    认证信息-RoHS--
    系列----
    元件生命周期-ActiveActive-
    是否无铅-YesYesYes
    脚间距-3.37mm--
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    应用-通用通用通用
    正向压降VF Max-430mV385mV430mV
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-5.5A5.5A5.5A
    反向击穿电压-30V--
    制造商标准提前期--22 周20 周
    正向压降VF Min--220mV-
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