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M3*8*1尼龙垫片BSS192,135、BST82,215、BST82,235 的区别

M3*8*1尼龙垫片

制造商:ZD

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BSS192,135

制造商:Nexperia

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BST82,215

制造商:Nexperia

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BST82,235

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ECCN编码
颜色White---
长x宽/尺寸Φ8.00 x 1.00mm4.50 x 2.50mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
晶体管类型-P沟道N沟道N沟道
包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
配置-单路单路单路
安装类型-SMTSMTSMT
封装/外壳-SOT89-3SOT-23SOT-23
漏源电压(Vdss)-240V100V100V
工作温度--55℃~+175℃-65℃~+150℃(TJ)-55℃~+175℃
栅极电荷(Qg)----
FET功能----
阈值电压-2.8V@1mA2V@1mA2V@1mA
连续漏极电流-200mA190mA190mA
技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
最小包装-1000pcs3000pcs1000pcs
充电电量-1.9nC--
反向传输电容Crss-5pF5pF5pF
零件状态-在售Active在售
击穿电压-240V100V100V
系列--TrenchMOS™TrenchMOS™
制造商标准提前期-13 周8 周8 周
极性-P-沟道N-沟道N-沟道
湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
品牌-NexperiaNexperiaNexperia
是否无铅-无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求Yes无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
栅极源极击穿电压-±20V±20V±20V
功率耗散-1W830mW830mW
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)-12欧姆@200mA,10V10欧姆@150mA,5V10欧姆@150mA,5V
输入电容-55pF40pF25pF
高度-1.50mm1.10mm1.80mm
原产国家-NetherlandsAmericaNetherlands
原始制造商-Nexperia Electronics Co. LtdNexperia Semiconductor Co., Ltd.Nexperia Electronics Co. Ltd
引脚数-3Pin3Pin3Pin
存储温度--55℃~+175℃-65℃~+150℃-55℃~+175℃
漏极电流--190mA-
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)--5V-
认证信息--RoHS-
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