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M3*8*1尼龙垫片BSS192,115、BSS192,135、BST82,215 的区别

M3*8*1尼龙垫片

制造商:ZD

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BSS192,115

制造商:Nexperia

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BSS192,135

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BST82,215

制造商:Nexperia

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ECCN编码
颜色White---
长x宽/尺寸Φ8.00 x 1.00mm4.60 x 2.60mm4.50 x 2.50mm2.90 x 1.30mm
FET功能----
阈值电压-2.8V@1mA2.8V@1mA2V@1mA
连续漏极电流-200mA200mA190mA
工作温度--55℃~+175℃-55℃~+175℃-65℃~+150℃(TJ)
包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
封装/外壳-SOT89-3SOT89-3SOT-23
栅极电荷(Qg)----
配置-单路单路单路
安装类型-SMTSMTSMT
晶体管类型-P沟道P沟道N沟道
漏源电压(Vdss)-240V240V100V
原产国家-NetherlandsNetherlandsAmerica
制造商标准提前期-13 周13 周8 周
原始制造商-Nexperia Electronics Co. LtdNexperia Electronics Co. LtdNexperia Semiconductor Co., Ltd.
最小包装-1000pcs1000pcs3000pcs
引脚数-3Pin3Pin3Pin
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)--12欧姆@200mA,10V10欧姆@150mA,5V
高度-1.60mm1.50mm1.10mm
是否无铅-Yes无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求Yes
存储温度--55℃~+175℃-55℃~+175℃-65℃~+150℃
充电电量-1.9nC1.9nC-
反向传输电容Crss-5pF5pF5pF
击穿电压-240V240V100V
系列---TrenchMOS™
湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
极性-P-沟道P-沟道N-沟道
品牌-NexperiaNexperiaNexperia
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-10V-5V
技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
栅极源极击穿电压-±20V±20V±20V
输入电容-55pF55pF40pF
功率耗散-1W1W830mW
零件状态-Active在售Active
漏极电流---190mA
认证信息---RoHS
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