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    M3*8*1尼龙垫片BSS123,215、BSS192,115、BSS192,135 的区别

    M3*8*1尼龙垫片

    制造商:ZD

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    BSS123,215

    制造商:Nexperia

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    BSS192,115

    制造商:Nexperia

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    BSS192,135

    制造商:Nexperia

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    ECCN编码
    颜色White---
    长x宽/尺寸Φ8.00 x 1.00mm2.90 x 1.30mm4.60 x 2.60mm4.50 x 2.50mm
    连续漏极电流-150mA200mA200mA
    晶体管类型-N沟道P沟道P沟道
    安装类型-SMTSMTSMT
    工作温度--55℃~+150℃(TJ)-55℃~+175℃-55℃~+175℃
    阈值电压-2.8V@1mA2.8V@1mA2.8V@1mA
    封装/外壳-SOT-23SOT89-3SOT89-3
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    配置-单路单路单路
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    栅极电荷(Qg)----
    FET功能----
    漏源电压(Vdss)-100V240V240V
    原产国家-NetherlandsNetherlandsNetherlands
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-10V10V-
    原始制造商-Nexperia Semiconductor Co., Ltd.Nexperia Electronics Co. LtdNexperia Electronics Co. Ltd
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    最小包装-3000pcs1000pcs1000pcs
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    高度-1.10mm1.60mm1.50mm
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃
    反向传输电容Crss-4pF5pF5pF
    击穿电压-100V240V240V
    零件状态-ActiveActiveActive
    是否无铅-YesYesYes
    极性-N-沟道P-沟道P-沟道
    品牌-NexperiaNexperiaNexperia
    制造商标准提前期-8 周13 周13 周
    输入电容-23pF55pF55pF
    栅极源极击穿电压-±20V±20V±20V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    功率耗散-250mW1W1W
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-6欧姆@120mA,10V-12欧姆@200mA,10V
    元件生命周期-Active--
    系列-TrenchMOS™--
    充电电量--1.9nC1.9nC
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