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GRM155R61E475ME15D 与
MMBT5551-7-F、MMBT5551LT1G、MMBT5551LT3G 的区别
制造商：Murata 最优价格：￥0.11089 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.08800 查看详情 | 制造商：ON 最优价格：￥0.07952 查看详情 | 制造商：ON 最优价格：￥0.12430 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 额定电压 | 25V | - | - | - |
| 精度 | ±20% | - | - | - |
| 容值 | 4.7μF | - | - | - |
| 封装/外壳 | 0402 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 长x宽/尺寸 | 1.00 x 0.50mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 品牌 | MuRata | DIODES | ON | ON |
| 电介质 | X5R | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | - |
| 引脚数 | 2Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 高度 | 0.50mm | 1.10mm | 1.11mm | 1.11mm |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | - | 160V | 160V | 160V |
| 包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| Vce饱和压降 | - | 200mV | 200mV | 200mV |
| 跃迁频率 | - | 100MHz | - | - |
| DC电流增益(hFE) | - | 50 | 250 | 80~250 |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ |
| 晶体管类型 | - | NPN | NPN | NPN |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 额定功率 | - | 300mW | 225mW | 225mW |
| 集电极-发射极电压 VCEO | - | 160V | 160V | 160V |
| 集电极电流 Ic | - | 600mA | 600mA | 600mA |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 系列 | - | Original | - | - |
| 特征频率(fT) | - | 300MHz | - | - |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 10000pcs |
| 集电极截止电流 (Icbo) | - | 500nA（ICBO） | 100nA | 100nA |
| 制造商标准提前期 | - | 12 周 | 12 周 | 12 周 |
| 功率耗散 | - | 300mW | 225mW | 225mW |
| 极性 | - | Bidirectional | NPN | NPN |
| 配置 | - | - | 单路 | 单路 |
| 集电极-基极电压（VCBO） | - | - | 180V | 180V |
| 印字代码 | - | - | G1 | G1 |
| 原产国家 | - | - | America | America |
| 原始制造商 | - | - | ON Semiconductor Inc. | ON Semiconductor |
| 脚间距 | - | - | 1.9mm | - |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | - | - | 6V | 6V |
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