购物车
上传BOM
SI2324A-TP 与
BAW56Q-7-F、BAW56Q-13-F、BAW56 的区别
制造商：MCC 最优价格：￥0.14341 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.15266 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.19030 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIOTEC 最优价格：￥0.18600 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | - | -55℃~+150℃(TJ) |
| 安装类型 | SMT | SMT | - | - |
| 包装 | Tape/reel | Tape/Reel | - | - |
| 栅极电荷(Qg) | 4.8nC | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOT-23 | TO-236-3 | SOT-23 | SOT-23 |
| 晶体管类型 | N沟道 | - | - | - |
| Vgs(Max) | ±20V | - | - | - |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | - | - | - |
| 阈值电压 | 2V | - | - | - |
| 配置 | 单路 | - | - | - |
| 连续漏极电流 | 2A | - | - | - |
| 输入电容 | 520pF | - | - | - |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | - | - |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| 极性 | N-沟道 | - | - | - |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | - | - |
| 高度 | 1.10mm | 1.10mm | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | - | - |
| 原始制造商 | Micro Commercial Components | Diodes Incorporated | - | - |
| 品牌 | MCC | DIODES | - | - |
| 类型 | 1个N沟道 | - | - | - |
| 额定功率 | 1.2W | - | - | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@10V,2A | - | - | - |
| 反向传输电容Crss | 36pF@15V | - | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5,10V | - | - | - |
| 功率耗散 | 1.2W | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 3.04 x 1.40mm | 2.90 x 1.30mm | - | - |
| 反向漏电流IR | - | 2.5µA | - | 1μA@75V |
| 平均整流电流 | - | 300mA | - | 215mA |
| 反向恢复时间(trr) | - | 4ns | - | 4ns |
| 功率耗散（最大值） | - | 350mW | - | - |
| 二极管配置 | - | 1对共阳极 | - | 2对共阳极 |
| 正向压降VF | - | 1.25V@150mA | - | 1.25V@150mA |
| 反向耐压VR | - | 75V | - | 75V |
| 反向峰值电压（最大值） | - | 75V | - | - |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | - | 2A | - | - |
| 原产国家 | - | America | - | - |
| 认证信息 | - | RoHS | - | - |
| 总电容C | - | 2pF | - | - |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | - |
| 正向压降VF Min | - | 715mV | - | - |
| 正向压降VF Max | - | 1.25V | - | - |
| 是否无铅 | - | Yes | - | - |
| 反向击穿电压 | - | 75V | - | - |
| 元件生命周期 | - | Active | - | - |
| 功率 | - | - | - | 350mW |
| 加入购物车 | 加入购物车 | 加入购物车 | 加入购物车 | 加入购物车 |
同类型型号推荐
加入购物车成功！
工商网监