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    SI2324A-TPBAW56LT1G、BAW56-7-F、BAW56Q-7-F 的区别

    SI2324A-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.14341

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    BAW56LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.05141

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    BAW56-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.10025

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    BAW56Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.15266

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    ECCN编码
    阈值电压2V---
    配置单路---
    连续漏极电流2A---
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    包装Tape/reelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    栅极电荷(Qg)4.8nC---
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23TO-236-3
    晶体管类型N沟道---
    Vgs(Max)±20V---
    漏源电压(Vdss)100V---
    长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    输入电容520pF---
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    极性N-沟道---
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    高度1.10mm0.94mm1.05mm1.10mm
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    原始制造商Micro Commercial ComponentsON Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
    品牌MCCONDIODESDIODES
    类型1个N沟道---
    额定功率1.2W---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10V,2A---
    反向传输电容Crss36pF@15V---
    栅极源极击穿电压±20V---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5,10V---
    功率耗散1.2W---
    二极管配置-共阳极1对共阳极1对共阳极
    功率耗散(最大值)-225mW350mW350mW
    反向恢复时间(trr)-6ns4ns4ns
    反向漏电流IR-30µA2.5µA2.5µA
    反向耐压VR-70V75V75V
    平均整流电流-200mA300mA300mA
    正向压降VF-1.25V1.25V1.25V@150mA
    总电容C-2pF2pF2pF
    应用-汽车汽车-
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    脚间距-1.9mm1.92mm-
    正向压降VF Max-1V1V1.25V
    正向电流-200mA--
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-4A2A2A
    存储温度--55℃~+150℃-65~+150℃-55℃~+150℃
    系列-BAW56L, SBAW56L--
    速度--快速恢复=<500ns,>200mA(Io)-
    二极管类型--标准-
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)-
    反向峰值电压(最大值)--75V75V
    工作温度-结---65°C~150°C-
    是否无铅--YesYes
    认证信息--AEC-Q101, RoHSRoHS
    反向击穿电压--75V75V
    元件生命周期---Active
    正向压降VF Min---715mV
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