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    SI2324A-TPBAW56-7-F、BAW56Q-7-F、BAW56Q-13-F 的区别

    SI2324A-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.14341

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    BAW56-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.10025

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    BAW56Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.15266

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    BAW56Q-13-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.19030

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    ECCN编码
    连续漏极电流2A---
    工作温度-55℃~+150℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-
    安装类型SMTSMTSMT-
    包装Tape/reelTape/ReelTape/Reel-
    栅极电荷(Qg)4.8nC---
    封装/外壳SOT-23SOT-23TO-236-3SOT-23
    晶体管类型N沟道---
    Vgs(Max)±20V---
    漏源电压(Vdss)100V---
    阈值电压2V---
    配置单路---
    长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm-
    输入电容520pF---
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs-
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    极性N-沟道---
    引脚数3Pin3Pin3Pin-
    高度1.10mm1.05mm1.10mm-
    零件状态ActiveActiveActive-
    原始制造商Micro Commercial ComponentsDiodes IncorporatedDiodes Incorporated-
    品牌MCCDIODESDIODES-
    类型1个N沟道---
    额定功率1.2W---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10V,2A---
    反向传输电容Crss36pF@15V---
    栅极源极击穿电压±20V---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5,10V---
    功率耗散1.2W---
    平均整流电流-300mA300mA-
    正向压降VF-1.25V1.25V@150mA-
    速度-快速恢复=<500ns,>200mA(Io)--
    反向漏电流IR-2.5µA2.5µA-
    二极管类型-标准--
    二极管配置-1对共阳极1对共阳极-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)--
    反向耐压VR-75V75V-
    功率耗散(最大值)-350mW350mW-
    反向峰值电压(最大值)-75V75V-
    反向恢复时间(trr)-4ns4ns-
    工作温度-结--65°C~150°C--
    是否无铅-YesYes-
    原产国家-AmericaAmerica-
    系列----
    认证信息-AEC-Q101, RoHSRoHS-
    脚间距-1.92mm--
    总电容C-2pF2pF-
    正向压降VF Max-1V1.25V-
    应用-汽车--
    反向击穿电压-75V75V-
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-2A2A-
    存储温度--65~+150℃-55℃~+150℃-
    元件生命周期--Active-
    正向压降VF Min--715mV-
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