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SI2324A-TP 与
BAW56Q-13-F、BAW56、BAW56LT1G 的区别
制造商：MCC 最优价格：￥0.13908 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.15941 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIOTEC 最优价格：￥0.18600 查看详情 | 制造商：ON 最优价格：￥0.12301 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 阈值电压 | 2V | - | - | - |
| 连续漏极电流 | 2A | - | - | - |
| 配置 | 单路 | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ |
| 安装类型 | SMT | - | - | SMT |
| 包装 | Tape/reel | - | - | Tape/Reel |
| 栅极电荷(Qg) | 4.8nC | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 晶体管类型 | N沟道 | - | - | - |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | - | - | - |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5,10V | - | - | - |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280mΩ | - | - | - |
| 功率耗散 | 1.2W | - | - | - |
| 输入电容 | 520pF | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 3.04 x 1.40mm | - | - | 2.90 x 1.30mm |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| 最小包装 | 3000pcs | - | - | 3000pcs |
| 极性 | N-沟道 | - | - | - |
| 引脚数 | 3Pin | - | - | 3Pin |
| 高度 | 1.10mm | - | - | 0.94mm |
| 零件状态 | Active | - | - | Active |
| 原始制造商 | Micro Commercial Components | - | - | ON Semiconductor Inc. |
| 类型 | 1个N沟道 | - | - | - |
| 品牌 | MCC | - | - | ON |
| 额定功率 | 1.2W | - | - | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 250mΩ@10V,2A | - | - | - |
| 反向传输电容Crss | 36pF@15V | - | - | - |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | - |
| 反向漏电流IR | - | - | 1μA@75V | 30µA |
| 反向耐压VR | - | - | 75V | 70V |
| 反向恢复时间(trr) | - | - | 4ns | 6ns |
| 二极管配置 | - | - | 2对共阳极 | 共阳极 |
| 平均整流电流 | - | - | 215mA | 200mA |
| 正向压降VF | - | - | 1.25V@150mA | 1.25V |
| 功率 | - | - | 350mW | - |
| 功率耗散（最大值） | - | - | - | 225mW |
| 系列 | - | - | - | BAW56L, SBAW56L |
| 总电容C | - | - | - | 2pF |
| 应用 | - | - | - | 汽车 |
| 原产国家 | - | - | - | America |
| 脚间距 | - | - | - | 1.9mm |
| 正向压降VF Max | - | - | - | 1V |
| 正向电流 | - | - | - | 200mA |
| Ifsm - 正向浪涌峰值电流 | - | - | - | 4A |
| 存储温度 | - | - | - | -55℃~+150℃ |
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