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    SI2324A-TPBAW56、BAW56LT1G、BAW56-7-F 的区别

    SI2324A-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.14341

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    BAW56

    制造商:DIOTEC

    最优价格:¥0.18600

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    BAW56LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.05141

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    BAW56-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.10025

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    晶体管类型N沟道---
    Vgs(Max)±20V---
    漏源电压(Vdss)100V---
    配置单路---
    阈值电压2V---
    连续漏极电流2A---
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-65℃~+150℃
    安装类型SMT-SMTSMT
    包装Tape/reel-Tape/ReelTape/Reel
    栅极电荷(Qg)4.8nC---
    类型1个N沟道---
    品牌MCC-ONDIODES
    额定功率1.2W---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ@10V,2A---
    反向传输电容Crss36pF@15V---
    栅极源极击穿电压±20V---
    功率耗散1.2W---
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5,10V---
    长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm-2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    最小包装3000pcs-3000pcs3000pcs
    输入电容520pF---
    极性N-沟道---
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)---
    引脚数3Pin-3Pin3Pin
    高度1.10mm-0.94mm1.05mm
    零件状态Active-ActiveActive
    原始制造商Micro Commercial Components-ON Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
    二极管配置-2对共阳极共阳极1对共阳极
    平均整流电流-215mA200mA300mA
    正向压降VF-1.25V@150mA1.25V1.25V
    反向漏电流IR-1μA@75V30µA2.5µA
    反向耐压VR-75V70V75V
    反向恢复时间(trr)-4ns6ns4ns
    功率-350mW--
    功率耗散(最大值)--225mW350mW
    正向压降VF Max--1V1V
    正向电流--200mA-
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)--4A2A
    存储温度---55℃~+150℃-65~+150℃
    系列--BAW56L, SBAW56L-
    总电容C--2pF2pF
    应用--汽车汽车
    原产国家--AmericaAmerica
    脚间距--1.9mm1.92mm
    湿气敏感性等级 (MSL)---1(无限)
    反向峰值电压(最大值)---75V
    工作温度-结----65°C~150°C
    速度---快速恢复=<500ns,>200mA(Io)
    二极管类型---标准
    认证信息---AEC-Q101, RoHS
    反向击穿电压---75V
    是否无铅---Yes
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